1）1280°C/2 h + 1300°C/2 h + 1320°C/6 h，空冷（AC）；
2）1140°C/4 h，AC；
3）870°C/24 h，AC。
-應(yīng)變速率：1×10??/s；
-溫度：室溫（RT）；
-測試樣本：啞鈴形平板試樣，標(biāo)距長度 25 mm，截面 5×1.5 mm2；
（2）氫脆敏感性評(píng)估
-氫脆指數(shù)（HEI）計(jì)算：
-記錄斷裂應(yīng)變、屈服強(qiáng)度及斷口形貌。
四、微觀結(jié)構(gòu)表征
（1）初始顯微組織分析：
-SEM（Zeiss Gemini 300）：觀察 γ/γ′ 相分布；
-HRTEM（JEOL JEM-2200FS）：分析 γ/γ′ 界面晶格結(jié)構(gòu)；
-APT（CAMECA LEAP 5000XR）：元素空間分布及界面成分。
（2）斷口分析：
-SEM：觀察斷口形貌（滑移臺(tái)階、準(zhǔn)解理面、微裂紋）；
-Micro-CT：三維裂紋分布；
-EBSD/ECCI：裂紋附近塑性變形區(qū)及位錯(cuò)結(jié)構(gòu)。
五、氫分布與氫捕獲行為分析
-氫還原反應(yīng)：AgBr + H → Ag + H? + Br?；
-銀顆粒分布分析（SEM-EDS），定位氫富集區(qū)域（γ 基體、γ/γ′ 界面）。
（2）熱脫附技術(shù)（TDS）：
-儀器：JTF20A 分析儀，加熱速率 100–350°C/h；
-脫附峰擬合（Gaussian 分峰），計(jì)算氫脫附活化能（Choo-Lee 方程）：
-真空層厚度：12 ?。
(2)計(jì)算參數(shù)：
-模型：VASP（PAW ，PBE-GGA 泛函）；
-平面波截?cái)嗄埽?00 eV；
-k 點(diǎn)網(wǎng)格：7×7×2（Γ 中心）。
(3)界面結(jié)合強(qiáng)度分析：
-分離功（Wsep）計(jì)算（Rice-Wang熱力學(xué)理論）；
-分析氫對(duì) Ni-Ni/Ni-Al 鍵的影響。
七、數(shù)據(jù)分析與關(guān)聯(lián)性研究
（1）氫捕獲與力學(xué)性能關(guān)聯(lián)
-γ/γ′ 界面作為可逆氫陷阱的機(jī)理（界面錯(cuò)配應(yīng)力場）。
（2）氫脆機(jī)制驗(yàn)證：
-HELP（氫增強(qiáng)局部塑性）與 HEDE（氫增強(qiáng)解聚）的協(xié)同作用；
-滑移帶-微裂紋-納米孔洞的演化路徑。
備注：實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)覆蓋氫捕獲行為、力學(xué)性能劣化機(jī)制及微觀結(jié)構(gòu)演化的多尺度關(guān)聯(lián)，為開發(fā)抗氫脆高溫合金提供理論依據(jù)。
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